画像の出所：https://dallasinnovates.com/dallas-based-ti-begins-manufacturing-gan-semiconductors-in-japan-quadrupling-capacity-along-with-north-texas-production/
ダラスに本拠を置くテキサス・インスツルメンツ（TI）は、日本の会津にある工場でガリウムナイトライド（GaN）を基にしたパワー半導体の製造を開始しました。
これにより、ダラスでのGaN製造と合わせて、TIは「4倍のGaNベースのパワー半導体」を内部で製造できることになります。
「GaNチップ設計と製造に関する10年以上の専門知識の上に、私たちは200mmのGaN技術を成功裏に認定し、最もスケーラブルでコスト競争力のある方法で今日Mass Production、会津での生産を開始しました」と、TIの技術および製造担当シニアバイスプレジデント、モハマド・ユヌス氏は声明で述べました。
「このマイルストーンにより、私たちは2030年までに内部製造を95％以上に拡大し、複数のTIロケーションから調達しつつ、すべてのGaNポートフォリオの高出力かつエネルギー効率の高い半導体の信頼できる供給を確保することが可能になります。」
GaNはシリコンの代替品として提供され、TIによれば、GaNはエネルギー効率、スイッチング速度、パワーソリューションのサイズと重量、全体的なシステムコスト、高温および高電圧条件下でのパフォーマンスにおいて利点を提供します。
TIは、GaNチップはより小型のスペースに対してより多くの電力密度を提供し、これにより、ノートパソコンや携帯電話向けの電源アダプタ、あるいはより小型でエネルギー効率の高いモーター（暖房、空調システムや家庭用電化製品）への応用が可能になります。
TIは、低電圧から高電圧までを提供する、統合されたGaNベースのパワー半導体の最も広いポートフォリオを現在提供しています。
「GaNを利用することで、TIはコンパクトなスペースでより効率的に、より多くの電力を提供でき、これは多くの顧客の革新を推進する主要な市場のニーズです」と、TIの高電圧パワー担当副社長であるカンナン・サウンダラパンディアン氏は述べました。
「サーバーの電力、太陽エネルギーの生成AC/DCアダプタなどのシステム設計者が、電力消費を削減し、エネルギー効率を向上させるという課題に直面し、彼らはTIの高性能なGaNベースのチップの信頼できる供給をますます要求しています。」
TIは、独自のGaN-on-siliconプロセスを使用し、8000万時間以上の信頼性試験と統合保護機能により、TIのGaNチップは高電圧システムの安全性を確保するように設計されています。
同社は、今日のGaNチップ製造において最も先進的な装置を使用することで、新たに増強された製造能力が製品性能と製造プロセスの効率を向上させ、コスト競争力をもたらすと述べました。
TIの拡張されたGaN製造で使用されるより高度で効率的な工具は、より小型のチップを生産でき、さらに多くの電力を集約化できることを付け加えています。
この設計革新は、水、エネルギー、原材料を更に少なく使用して製造が可能であり、GaNチップを使用する最終製品も同様の環境上の利点を享受します。
テキサス・インスツルメンツは、追加されたGaN製造の性能上の利点が、同社のGaNチップを900Vから始まり、今後高電圧へのスケーリングを可能にすることを語りました。これは、ロボティクス、再生可能エネルギー、サーバーパワーサプライなどのアプリケーションに向けた、さらなる電力効率とサイズの革新を進めていくものです。
TIの拡張投資には、300mmウェハ上でのGaN製造プロセスの開発に成功したパイロットが含まれており、同社は拡張されたGaN製造プロセスが完全に300mm技術に移行可能であるとし、「顧客のニーズに合わせてすぐにスケールし、将来的に300mmに移行する準備が整っている」と述べています。